东京大先破费技术钻研所教授藤冈洋的东大的技钻研室2014年6月23日宣告，开拓出了在玻璃基板上用溅射法组成GaN基LED的开拓技术。相关论文已经宣告在学术杂志《ScientificReports》上。玻璃除了与现有LED比照可大幅飞腾制组老本之外，基板积新技术尚有可能实现用有机LED制作农业破费系统EL那样的上溅射层术行大面积发光元件。  

    藤冈教授的业资钻研室在约2英寸（直径约5cm）的玻璃基板上转印了石墨烯多层膜，而后在石墨烯多层膜上用脉冲溅射法分说组成为了AlN、东大的技n型GaN、开拓由GaN与InGaN的玻璃多层妄想组成的量子阱、p型GaN晶体。基板积  

    藤冈展现，上溅射层术行很早从前就开始开拓运用溅射法制作LED的业资技术，“尚未宣告过这些技术的东大的技详细内容，只是开拓在积攒履历”。  

    此外，玻璃藤冈钻研室还在2008年开拓出了在石墨片材上用“脉冲鼓舞聚积法（PXD）”组成GaN晶体的技术。  

    这次在可称患上上是较薄石墨片材的石墨烯片材上用溅射法组成为了GaN晶体，并确招供实际发光。据介绍，分说制作了以红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）三原色发光的LED。  

    当初还无奈魔难红色发光的发光功能，以及单色形态下的外部量子功能，正在对于较高温条件下的外部量子功能妨碍评估。藤冈教授展现，“与蓝宝石基板上制作的LED比照，外部量子功能要低好多少成”。尔后的课题是若何将外部量子功能后退至与现有LED至关的水平。